10.18453/rosdok_id00001609
Wigger, Daniel
Daniel
Wigger
http://d-nb.info/gnd/1079691545
Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
Universität Rostock
2015
620 Engineering & allied operations
2015
de
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609
urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9
Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.