10.18453/rosdok_id00002696
Münster, Patrick
Patrick
Münster
http://d-nb.info/gnd/1212244907
Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
Universität Rostock
2019
620 Engineering & allied operations
621.3 Electrical Engineering, Electronics
2019
de
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8
Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.