10.18453/rosdok_id00002730
Werner, Robin Marián
Robin Marián
Werner
http://d-nb.info/gnd/1216196621
Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT
Universität Rostock
2020
621.3 Electrical Engineering, Electronics
2020
de
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002730
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002730-6
Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden.