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Böhmer,  Jürgen

Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren

Rostock : Universität , 2014

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001314

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001314

Abstract:

Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Eckel,  Hans-Günter  (Prof. Dr.-Ing.)
Lutz,  Josef  (Prof. Dr.-Ing.)
Krafft,  Eberhard Ulrich  (Dr.-Ing.)
Jahr der Abgabe:
2013
Jahr der Verteidigung:
2014
Sprache(n) :
Deutsch
Schlagworte:
IGBT, Millerkapazität, Leistungselektronik
DDC Klassifikation :
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001314
erstellt am:
2014-03-24
zuletzt geändert am:
2018-06-30
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