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Schumann,  Jörg

Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs

Rostock : Universität , 2014

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001379

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379

Abstract:

Das Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Eckel,  Hans-Günter  (Prof. Dr. Ing.)
Lindemann,  Andreas  (Prof. Dr. Ing.)
Pfirsch,  Frank  (Dr. rer.nat.)
Jahr der Abgabe:
2014
Jahr der Verteidigung:
2014
Sprache(n) :
Deutsch
übersetzte Zusammenfassung :
The charge extraction modell is shown. It is for the description of the switching-off behaviour of IGBTs. The charge distibution is solved in one dimension through the IGBT. So the model shows a physically correct behaviour. The needed parameters can be measured without destroying the device. A special advantage of the model is, that the simulations results must not fitted in dependence to the switching velocity and also demanding switching conditions can be managed. Gate driving circuits can be managed by the model with very low costs.
Schlagworte:
Leistungselektronik, HV-IGBT, Simulationsmodell, Ladungsträgerverteilung, Parametrierung
DDC Klassifikation :
000 Allgemeines, Wissenschaft
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379
erstellt am:
2014-09-03
zuletzt geändert am:
2018-06-30
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