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Plappert,  Mathias Karl Heinrich

Untersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronik

Rostock : Universität , 2014

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001432

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432

Abstract:

Die vorliegende Arbeit untersucht WTi- und WTiN-Diffusionsbarrieren. Die werkstoffphysikalischen Eigenschaften werden in Abhängigkeit des Sputterprozesses umfangreich evaluiert. Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die Barrierenstabilität wird mit Hilfe von Beschleunigungstests und analytischen Methoden ermittelt. Die Integration von langzeitstabilen Diffusionsbarrieren auf Leistungshalbleitern ist ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Nowottnick,  Mathias  (Prof. Dr.-Ing. habil.)
Lang,  Klaus-Dieter  (Prof. Dr.-Ing. Dr. sc. techn.)
Humbel,  Oliver  (Dr. sc. techn.)
Jahr der Abgabe:
2014
Jahr der Verteidigung:
2014
Sprache(n) :
Deutsch
übersetzte Zusammenfassung :
The present thesis investigates WTi- and WTiN-diffusion barriers. The physical and chemical properties were evaluated on the basis of experimental, theoretical and simulation data as a function of the sputtering process. The influence of the thin film characteristics on barrier stability is analyzed with the help of accelerated reliability tests and analytical methods. The integration of long term stable diffusion barriers is a further constituent of this work.
Schlagworte:
Diffusionsbarriere, Ti-Diffusion, WTi, Tantal
DDC Klassifikation :
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432
erstellt am:
2014-11-11
zuletzt geändert am:
2018-06-30
Volltext