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Appel,  Tobias Gerhard

Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren

Rostock : Universität , 2014

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001433

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433

Abstract:

Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Eckel,  Hans-Günter  (Prof. Dr.-Ing)
Kaminski,  Nando  (Prof. Dr.-Ing)
Siemieniec,  Ralf  (Dr.-Ing)
Jahr der Abgabe:
2014
Jahr der Verteidigung:
2014
Sprache(n) :
Deutsch
Schlagworte:
Siliciumkarbid SiC, Reverse Recovery, Schaltenergie, Ansteuerung, parasitäres Aufsteuern, Rückkopplung
DDC Klassifikation :
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433
erstellt am:
2014-11-11
zuletzt geändert am:
2018-06-30
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