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Sämrow,  Hagen

Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten

Rostock : Universität , 2015

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001479

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479

Abstract:

Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Timmermann,  Dirk  (Prof. Dr.-Ing.)
Ortmanns,  Maurits  (Prof. Dr.-Ing.)
Haubelt,  Christian  (Prof. Dr.-Ing. habil.)
Jahr der Abgabe:
2013
Jahr der Verteidigung:
2014
Sprache(n) :
Deutsch
Schlagworte:
CMOS, gateoxid breakdown, Verschleiß
DDC Klassifikation :
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479
erstellt am:
2015-02-10
zuletzt geändert am:
2018-06-30
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