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Wigger,  Daniel

Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren

Rostock : Universität , 2015

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001609

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609

Abstract:

Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Eckel,  Hans-Günter  (Prof. Dr.-Ing.)
Lutz,  Josef  (Prof. Dr.-Ing.)
Krafft,  Eberhard Ulrich  (Dr.-Ing.)
Jahr der Abgabe:
2015
Jahr der Verteidigung:
2015
Sprache(n) :
Deutsch
Schlagworte:
Leistungselektronik, Leistungshalbleiter, IGBTs, RC-IGBTs
DDC Klassifikation :
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609
erstellt am:
2015-09-16
zuletzt geändert am:
2018-06-30
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