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Fuhrmann,  Jan

IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze

Rostock : Universität , 2016

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001776

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776

Abstract:

In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Eckel,  Hans-Günter  (Prof. Dr.-Ing.)
Kaminski,  Nando  (Prof. Dr.-Ing.)
Domes,  Daniel  (Dr.-Ing.)
Jahr der Abgabe:
2016
Jahr der Verteidigung:
2016
Sprache(n) :
Deutsch
Schlagworte:
Leistungshalbleiter, Ersatzschaltbild, Ausfall
DDC Klassifikation :
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776
erstellt am:
2016-08-04
zuletzt geändert am:
2018-06-30
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