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Münster,  Patrick

Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT

Rostock : Universität , 2019

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696

Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Eckel,  Hans-Günter
Bakran,  Mark-Matthias
Krafft,  Eberhard Ulrich
Sprache(n) :
Deutsch
übersetzte Zusammenfassung :
The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.
DDC Klassifikation :
620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
621.3 Elektrotechnik, Elektronik
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696
erstellt am:
2020-06-19
zuletzt geändert am:
2020-06-19
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