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Tran,  Quang Tien

Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik

Rostock : Universität , 2020

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002994

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994

Abstract:

In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.

Dissertation Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Eckel,  Hans-Günter
Kaminski,  Nando
Baburske,  Roman
Sprache(n) :
Deutsch
übersetzte Zusammenfassung :
In this dissertation, a novel Trench RC-IGBT concept, called RC-GID-IGBT, is proposed. This new RC-IGBT structure allows operation with a conventional IGBT gate drive and has reverse recovery charge in diode operating mode as low as a state-of-the-art freewheeling diodes. This is achieved by introducing dedicated areas for the diode operation as well as an auxiliary schottky emitter into the IGBT chip without generating negative electrical effects on the IGBT mode. As a result, the novel RC-GID-IGBT can take full advantage of the thermal benefit.
DDC Klassifikation :
530 Physik
621.3 Elektrotechnik, Elektronik
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994
erstellt am:
2021-04-16
zuletzt geändert am:
2021-04-16
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