mycoreobjectrosdok_disshab_0000001135rosdok_disshab_0000001135rosdokdisshabrosdok_derivate_00000052602023-08-08T10:04:45.360Z2014-03-24T12:04:38.696Zadministratorpublished1rosdok_derivate_0000005260truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id00001314781882508MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1048751139JürgenBöhmer1982-VerfasserInautWirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar TransistorendeProf. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgs136321410Prof. Dr.-Ing.JosefLutzTechnische Universität Chemnitz, Elektrotechnisches InstitutAkademischeR BetreuerIndgsDr.-Ing.Eberhard UlrichKrafftSiemens AG NürnbergAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001314http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001314urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.IGBTMillerkapazitätLeistungselektronikUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001314doctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisrfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Maschinenbauinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2licenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar TransistorenWirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistorengnd:1048751139gnd:136321410gnd:10085032-7gnd:1048751139gnd:136321410gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001135-d3864283e39gnd:1048751139Jürgen BöhmerJürgen Böhmerrosdok_disshab_0000001135-d3864283e60Prof. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Hans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000001135-d3864283e73gnd:136321410Prof. Dr.-Ing. Josef LutzProf. Dr.-Ing. Josef Lutzrosdok_disshab_0000001135-d3864283e88Dr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftDr.-Ing. Eberhard Ulrich Krafftrosdok_disshab_0000001135-d3864283e102gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJürgen BöhmerProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Josef LutzDr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJürgen BöhmerProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Josef LutzDr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJürgen BöhmerRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001314http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001314urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4IGBTMillerkapazitätLeistungselektronikIm eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.20142014epub.dissertation1 Dissertation_Boehmer_2014.pdf 7908150 8776711606de8e0c2fb162c7ca406c72 rosdok/id00001314781882508MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1048751139JürgenBöhmer1982-VerfasserInautWirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar TransistorendeProf. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgs136321410Prof. Dr.-Ing.JosefLutzTechnische Universität Chemnitz, Elektrotechnisches InstitutAkademischeR BetreuerIndgsDr.-Ing.Eberhard UlrichKrafftSiemens AG NürnbergAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001314http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001314urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. 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