10.18453/rosdok_id00001314 Böhmer, Jürgen Jürgen Böhmer http://d-nb.info/gnd/1048751139 Universität Rostock 2014 620 Engineering & allied operations 2014 de http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001314 urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4 Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.