mycoreobjectrosdok_disshab_0000001200rosdok_disshab_0000001200rosdokdisshabrosdok_derivate_00000149292023-08-08T10:05:05.764Z2014-09-03T08:58:29.699ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000014929truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id00001379796664544MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1056900504JörgSchumann1974-VerfasserInautLadungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTsdeProf. Dr. Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgs172662036Prof. Dr. Ing.AndreasLindemannUniversität Magdeburg, Fakultät für Elektrotechnik und Informationistechnik, Institut für Elektrische EnergiesystemeAkademischeR BetreuerIndgsDr. rer.nat.FrankPfirschInfineon Technologies AG NeubibergAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001379http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3000 Allgemeines, Wissenschaft620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Das Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar.The charge extraction modell is shown. It is for the description of the switching-off behaviour of IGBTs. The charge distibution is solved in one dimension through the IGBT. So the model shows a physically correct behaviour. The needed parameters can be measured without destroying the device. A special advantage of the model is, that the simulations results must not fitted in dependence to the switching velocity and also demanding switching conditions can be managed. Gate driving circuits can be managed by the model with very low costs.LeistungselektronikHV-IGBTSimulationsmodellLadungsträgerverteilungParametrierungUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379doctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisrfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuSDNB:000SDNB:000000 Allgemeines, Wissenschaft000 Generalities, ScienceSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Maschinenbauinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2licenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTsLadungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTsgnd:1056900504gnd:172662036gnd:10085032-7gnd:1056900504gnd:172662036gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001200-d612998e39gnd:1056900504Jörg SchumannJörg Schumannrosdok_disshab_0000001200-d612998e60Prof. Dr. Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr. Ing. Hans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000001200-d612998e73gnd:172662036Prof. Dr. Ing. Andreas LindemannProf. Dr. Ing. Andreas Lindemannrosdok_disshab_0000001200-d612998e88Dr. rer.nat. Frank PfirschDr. rer.nat. Frank Pfirschrosdok_disshab_0000001200-d612998e102gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJörg SchumannProf. Dr. Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr. Ing. Andreas LindemannDr. rer.nat. Frank PfirschUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJörg SchumannProf. Dr. Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr. Ing. Andreas LindemannDr. rer.nat. Frank PfirschUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJörg SchumannRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001379http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3LeistungselektronikHV-IGBTSimulationsmodellLadungsträgerverteilungParametrierungDas Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar.The charge extraction modell is shown. It is for the description of the switching-off behaviour of IGBTs. The charge distibution is solved in one dimension through the IGBT. So the model shows a physically correct behaviour. The needed parameters can be measured without destroying the device. A special advantage of the model is, that the simulations results must not fitted in dependence to the switching velocity and also demanding switching conditions can be managed. Gate driving circuits can be managed by the model with very low costs.20142014epub.dissertation1 Dissertation_Schumann_2014.pdf 2820782 61e059f6031d55bb4b67ee48f1a2ed00 rosdok/id00001379796664544MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1056900504JörgSchumann1974-VerfasserInautLadungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTsdeProf. Dr. Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgs172662036Prof. Dr. Ing.AndreasLindemannUniversität Magdeburg, Fakultät für Elektrotechnik und Informationistechnik, Institut für Elektrische EnergiesystemeAkademischeR BetreuerIndgsDr. rer.nat.FrankPfirschInfineon Technologies AG NeubibergAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001379http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3000 Allgemeines, Wissenschaft620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Das Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar.The charge extraction modell is shown. It is for the description of the switching-off behaviour of IGBTs. The charge distibution is solved in one dimension through the IGBT. So the model shows a physically correct behaviour. The needed parameters can be measured without destroying the device. A special advantage of the model is, that the simulations results must not fitted in dependence to the switching velocity and also demanding switching conditions can be managed. Gate driving circuits can be managed by the model with very low costs.LeistungselektronikHV-IGBTSimulationsmodellLadungsträgerverteilungParametrierungUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379 2014-09-03T08:58:29.699Z 2023-08-08T10:05:05.764Z 2023-08-18T10:05:05.769Z editorD {"identifier":"rosdok/id00001379","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2018-06-30T13:10:29.083Z"} {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001379","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2018-06-30T13:10:29.280Z","registered":"2018-06-30T13:10:29.280Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00001379","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2018-06-30T13:10:30.639Z","registered":"2018-06-30T13:10:30.639Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2018-06-30T13:10:29.089Z","registered":"2014-09-13T02:17:33.650Z"} administratorfulltextfile/rosdok_disshab_0000001200/rosdok_derivate_0000014929/Dissertation_Schumann_2014.pdfLadungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTsLadungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTsgnd:1056900504gnd:172662036gnd:10085032-7gnd:1056900504gnd:172662036gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001200-d612998e39gnd:1056900504Jörg SchumannJörg Schumannrosdok_disshab_0000001200-d612998e60Prof. Dr. Ing. 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