mycoreobjectrosdok_disshab_0000001253rosdok_disshab_0000001253rosdokdisshabrosdok_derivate_00000190302023-08-08T10:05:23.903Z2014-11-11T13:43:03.412ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000019030truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id0000143280681988XMODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1059558599Mathias Karl HeinrichPlappert1985-VerfasserInautUntersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronikde115095489Prof. Dr.-Ing. habil.MathiasNowottnickUniversität Rostock, Institut für Gerätesysteme und SchaltungstechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing. Dr. sc. techn.Klaus-DieterLangTechnische Universität Berlin, Fakultät für Informatik und ElektrotechnikAkademischeR BetreuerIndgsDr. sc. techn.OliverHumbelInfineon Technologies Austria AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001432http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Die vorliegende Arbeit untersucht WTi- und WTiN-Diffusionsbarrieren. Die werkstoffphysikalischen Eigenschaften werden in Abhängigkeit des Sputterprozesses umfangreich evaluiert. Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die Barrierenstabilität wird mit Hilfe von Beschleunigungstests und analytischen Methoden ermittelt. Die Integration von langzeitstabilen Diffusionsbarrieren auf Leistungshalbleitern ist ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit.The present thesis investigates WTi- and WTiN-diffusion barriers. The physical and chemical properties were evaluated on the basis of experimental, theoretical and simulation data as a function of the sputtering process. The influence of the thin film characteristics on barrier stability is analyzed with the help of accelerated reliability tests and analytical methods. The integration of long term stable diffusion barriers is a further constituent of this work.DiffusionsbarriereTi-DiffusionWTiTantalUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432doctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisrfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Maschinenbauinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2licenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/Untersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der LeistungselektronikUntersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronikgnd:1059558599gnd:115095489gnd:10085032-7gnd:1059558599gnd:115095489gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001253-d744135e39gnd:1059558599Mathias Karl Heinrich PlappertMathias Karl Heinrich Plappertrosdok_disshab_0000001253-d744135e60gnd:115095489Prof. Dr.-Ing. habil. Mathias NowottnickProf. Dr.-Ing. habil. Mathias Nowottnickrosdok_disshab_0000001253-d744135e75Prof. Dr.-Ing. Dr. sc. techn. Klaus-Dieter LangProf. Dr.-Ing. Dr. sc. techn. Klaus-Dieter Langrosdok_disshab_0000001253-d744135e88Dr. sc. techn. Oliver HumbelDr. sc. techn. Oliver Humbelrosdok_disshab_0000001253-d744135e102gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikMathias Karl Heinrich PlappertProf. Dr.-Ing. habil. Mathias NowottnickProf. Dr.-Ing. Dr. sc. techn. Klaus-Dieter LangDr. sc. techn. Oliver HumbelUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikMathias Karl Heinrich PlappertProf. Dr.-Ing. habil. Mathias NowottnickProf. Dr.-Ing. Dr. sc. techn. Klaus-Dieter LangDr. sc. techn. Oliver HumbelUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikMathias Karl Heinrich PlappertRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001432http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9DiffusionsbarriereTi-DiffusionWTiTantalDie vorliegende Arbeit untersucht WTi- und WTiN-Diffusionsbarrieren. Die werkstoffphysikalischen Eigenschaften werden in Abhängigkeit des Sputterprozesses umfangreich evaluiert. Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die Barrierenstabilität wird mit Hilfe von Beschleunigungstests und analytischen Methoden ermittelt. Die Integration von langzeitstabilen Diffusionsbarrieren auf Leistungshalbleitern ist ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit.The present thesis investigates WTi- and WTiN-diffusion barriers. The physical and chemical properties were evaluated on the basis of experimental, theoretical and simulation data as a function of the sputtering process. The influence of the thin film characteristics on barrier stability is analyzed with the help of accelerated reliability tests and analytical methods. The integration of long term stable diffusion barriers is a further constituent of this work.20142014epub.dissertation1 Dissertation_Plappert_2014.pdf 8566407 ced97d3faf0557985bec36aebfcf39ee rosdok/id0000143280681988XMODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1059558599Mathias Karl HeinrichPlappert1985-VerfasserInautUntersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronikde115095489Prof. Dr.-Ing. habil.MathiasNowottnickUniversität Rostock, Institut für Gerätesysteme und SchaltungstechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing. Dr. sc. techn.Klaus-DieterLangTechnische Universität Berlin, Fakultät für Informatik und ElektrotechnikAkademischeR BetreuerIndgsDr. sc. techn.OliverHumbelInfineon Technologies Austria AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001432http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Die vorliegende Arbeit untersucht WTi- und WTiN-Diffusionsbarrieren. Die werkstoffphysikalischen Eigenschaften werden in Abhängigkeit des Sputterprozesses umfangreich evaluiert. Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die Barrierenstabilität wird mit Hilfe von Beschleunigungstests und analytischen Methoden ermittelt. Die Integration von langzeitstabilen Diffusionsbarrieren auf Leistungshalbleitern ist ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit.The present thesis investigates WTi- and WTiN-diffusion barriers. The physical and chemical properties were evaluated on the basis of experimental, theoretical and simulation data as a function of the sputtering process. The influence of the thin film characteristics on barrier stability is analyzed with the help of accelerated reliability tests and analytical methods. The integration of long term stable diffusion barriers is a further constituent of this work.DiffusionsbarriereTi-DiffusionWTiTantalUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432 2014-11-11T13:43:03.412Z 2023-08-08T10:05:23.903Z 2023-08-18T10:05:23.907Z editorD {"identifier":"rosdok/id00001432","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2018-06-30T13:12:27.326Z"} {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2018-06-30T13:12:27.518Z","registered":"2018-06-30T13:12:27.518Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00001432","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2018-06-30T13:12:28.895Z","registered":"2018-06-30T13:12:28.895Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2018-06-30T13:12:27.332Z","registered":"2014-11-28T03:09:27.593Z"} administratorfulltextfile/rosdok_disshab_0000001253/rosdok_derivate_0000019030/Dissertation_Plappert_2014.pdfUntersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der LeistungselektronikUntersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronikgnd:1059558599gnd:115095489gnd:10085032-7gnd:1059558599gnd:115095489gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001253-d744135e39gnd:1059558599Mathias Karl Heinrich PlappertMathias Karl Heinrich Plappertrosdok_disshab_0000001253-d744135e60gnd:115095489Prof. Dr.-Ing. habil. 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Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die…Mathias Karl Heinrich PlappertUntersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der LeistungselektronikUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id000014321059558599Mathias Karl HeinrichPlappert1985-VerfasserInaut115095489Prof. Dr.-Ing. habil.MathiasNowottnickUniversität Rostock, Institut für Gerätesysteme und SchaltungstechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing. 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