<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<resource xmlns="http://datacite.org/schema/kernel-4" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xsi:schemaLocation="http://datacite.org/schema/kernel-4 http://schema.datacite.org/meta/kernel-4.1/metadata.xsd">
  <identifier identifierType="DOI">10.18453/rosdok_id00001432</identifier>
  <creators>
    <creator>
      <creatorName nameType="Personal">Plappert, Mathias Karl Heinrich</creatorName>
      <givenName>Mathias Karl Heinrich</givenName>
      <familyName>Plappert</familyName>
      <nameIdentifier nameIdentifierScheme="GND" schemeURI="http://d-nb.info/gnd/">http://d-nb.info/gnd/1059558599</nameIdentifier>
    </creator>
  </creators>
  <titles>
    <title>Untersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronik</title>
  </titles>
  <publisher>Universität Rostock</publisher>
  <publicationYear>2014</publicationYear>
  <resourceType resourceTypeGeneral="Text" />
  <subjects>
    <subject xml:lang="en" schemeURI="http://dewey.info/" subjectScheme="dewey">620 Engineering &amp; allied operations</subject>
  </subjects>
  <dates>
    <date dateType="Created">2014</date>
  </dates>
  <language>de</language>
  <alternateIdentifiers>
    <alternateIdentifier alternateIdentifierType="PURL">http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001432</alternateIdentifier>
    <alternateIdentifier alternateIdentifierType="URN">urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9</alternateIdentifier>
  </alternateIdentifiers>
  <descriptions>
    <description descriptionType="Abstract">Die vorliegende Arbeit untersucht WTi- und WTiN-Diffusionsbarrieren. Die werkstoffphysikalischen Eigenschaften werden in Abhängigkeit des Sputterprozesses umfangreich evaluiert. Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die Barrierenstabilität wird mit Hilfe von Beschleunigungstests und analytischen Methoden ermittelt. Die Integration von langzeitstabilen Diffusionsbarrieren auf Leistungshalbleitern ist ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit.</description>
  </descriptions>
</resource>
