mycoreobjectrosdok_disshab_0000001254rosdok_disshab_0000001254rosdokdisshabrosdok_derivate_00000190292023-08-08T10:05:24.235Z2014-11-11T13:44:34.373ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000019029truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id00001433806821280MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1060821052Tobias GerhardAppel1984-VerfasserInautEin Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-TransistorendeProf. Dr.-IngHans-GünterEckelUniversität Rostock, Fakultät für Informatik und ElektrotechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-IngNandoKaminskiBremen, IALBAkademischeR BetreuerIndgsDr.-IngRalfSiemieniecInfineon Technologies Austria AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001433http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.Siliciumkarbid SiCReverse RecoverySchaltenergieAnsteuerungparasitäres AufsteuernRückkopplungUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433doctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisrfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Maschinenbauinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2licenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-TransistorenEin Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistorengnd:1060821052gnd:10085032-7gnd:1060821052gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001254-d1078633e39gnd:1060821052Tobias Gerhard AppelTobias Gerhard Appelrosdok_disshab_0000001254-d1078633e60Prof. Dr.-Ing Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing Hans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000001254-d1078633e73Prof. Dr.-Ing Nando KaminskiProf. Dr.-Ing Nando Kaminskirosdok_disshab_0000001254-d1078633e86Dr.-Ing Ralf SiemieniecDr.-Ing Ralf Siemieniecrosdok_disshab_0000001254-d1078633e100gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikTobias Gerhard AppelProf. Dr.-Ing Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing Nando KaminskiDr.-Ing Ralf SiemieniecUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikTobias Gerhard AppelProf. Dr.-Ing Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing Nando KaminskiDr.-Ing Ralf SiemieniecUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikTobias Gerhard AppelRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001433http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5Siliciumkarbid SiCReverse RecoverySchaltenergieAnsteuerungparasitäres AufsteuernRückkopplungDas Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.20142014epub.dissertation1 Dissertation_Appel_2014.pdf 5030349 4935e3876b0e3be7345f7accac8d6225 rosdok/id00001433806821280MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1060821052Tobias GerhardAppel1984-VerfasserInautEin Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-TransistorendeProf. Dr.-IngHans-GünterEckelUniversität Rostock, Fakultät für Informatik und ElektrotechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-IngNandoKaminskiBremen, IALBAkademischeR BetreuerIndgsDr.-IngRalfSiemieniecInfineon Technologies Austria AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001433http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2014monographic20142014Universitätsbibliothek RostockRostock20142014Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.Siliciumkarbid SiCReverse RecoverySchaltenergieAnsteuerungparasitäres AufsteuernRückkopplungUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433 2014-11-11T13:44:34.373Z 2023-08-08T10:05:24.235Z 2023-08-18T10:05:24.239Z editorD {"identifier":"rosdok/id00001433","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2018-06-30T13:12:29.380Z"} {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2018-06-30T13:12:29.579Z","registered":"2018-06-30T13:12:29.579Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00001433","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2018-06-30T13:12:30.866Z","registered":"2018-06-30T13:12:30.866Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2018-06-30T13:12:29.385Z","registered":"2014-11-28T03:09:25.187Z"} administratorfulltextfile/rosdok_disshab_0000001254/rosdok_derivate_0000019029/Dissertation_Appel_2014.pdfEin Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-TransistorenEin Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistorengnd:1060821052gnd:10085032-7gnd:1060821052gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001254-d1078633e39gnd:1060821052Tobias Gerhard AppelTobias Gerhard Appelrosdok_disshab_0000001254-d1078633e60Prof. Dr.-Ing Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing Hans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000001254-d1078633e73Prof. Dr.-Ing Nando KaminskiProf. Dr.-Ing Nando Kaminskirosdok_disshab_0000001254-d1078633e86Dr.-Ing Ralf SiemieniecDr.-Ing Ralf Siemieniecrosdok_disshab_0000001254-d1078633e100gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikTobias Gerhard AppelProf. Dr.-Ing Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing Nando KaminskiDr.-Ing Ralf SiemieniecUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikTobias Gerhard AppelProf. Dr.-Ing Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing Nando KaminskiDr.-Ing Ralf SiemieniecUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikTobias Gerhard AppelRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001433http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5Siliciumkarbid SiCReverse RecoverySchaltenergieAnsteuerungparasitäres AufsteuernRückkopplungDas Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. 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SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine…Tobias Gerhard AppelEin Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-TransistorenUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id000014331060821052Tobias GerhardAppel1984-VerfasserInautProf. Dr.-IngHans-GünterEckelUniversität Rostock, Fakultät für Informatik und ElektrotechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-IngNandoKaminskiBremen, IALBAkademischeR BetreuerIndgsDr.-IngRalfSiemieniecInfineon Technologies Austria AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg[doi]10.18453/rosdok_id00001433[purl]http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433[urn]urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5open_access20142014epoch:21th_centuryrfc5646:dedoctype:epub.dissertationaccesscondition:openaccessSDNB:620institution:unirostock.iefstate:published