10.18453/rosdok_id00001433 Appel, Tobias Gerhard Tobias Gerhard Appel http://d-nb.info/gnd/1060821052 Universität Rostock 2014 620 Engineering & allied operations 2014 de http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001433 urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5 Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.