mycoreobjectrosdok_disshab_0000001300rosdok_disshab_0000001300rosdokdisshabrosdok_derivate_00000238112023-08-08T10:05:38.794Z2015-02-10T14:22:39.188ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000023811truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id00001479817992502MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift106591959XHagenSämrow1979-VerfasserInautMaßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefektende132790505Prof. Dr.-Ing.DirkTimmermannUniversität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und DatentechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing.MauritsOrtmannsUniversität Ulm, Institut für MikroelektronikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing. habil.ChristianHaubeltUniversität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und DatentechnikAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001479http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2015monographic20142015Universitätsbibliothek RostockRostock20152015Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.CMOSgateoxid breakdownVerschleißUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479doctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisrfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Maschinenbauinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2licenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich GateoxiddefektenMaßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefektengnd:106591959Xgnd:132790505gnd:10085032-7gnd:106591959Xgnd:132790505gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001300-d1418445e39gnd:106591959XHagen SämrowHagen Sämrowrosdok_disshab_0000001300-d1418445e60gnd:132790505Prof. Dr.-Ing. Dirk TimmermannProf. Dr.-Ing. Dirk Timmermannrosdok_disshab_0000001300-d1418445e75Prof. Dr.-Ing. Maurits OrtmannsProf. Dr.-Ing. Maurits Ortmannsrosdok_disshab_0000001300-d1418445e88Prof. Dr.-Ing. habil. Christian HaubeltProf. Dr.-Ing. habil. Christian Haubeltrosdok_disshab_0000001300-d1418445e102gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHagen SämrowProf. Dr.-Ing. Dirk TimmermannProf. Dr.-Ing. Maurits OrtmannsProf. Dr.-Ing. habil. Christian HaubeltUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHagen SämrowProf. Dr.-Ing. Dirk TimmermannProf. Dr.-Ing. Maurits OrtmannsProf. Dr.-Ing. habil. Christian HaubeltUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHagen SämrowRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001479http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6CMOSgateoxid breakdownVerschleißDie fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.20152015epub.dissertation1 Dissertation_Saemrow_2015.pdf 3357051 6120836f6aa8be3018300238cd07f951 rosdok/id00001479817992502MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift106591959XHagenSämrow1979-VerfasserInautMaßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefektende132790505Prof. Dr.-Ing.DirkTimmermannUniversität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und DatentechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing.MauritsOrtmannsUniversität Ulm, Institut für MikroelektronikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing. habil.ChristianHaubeltUniversität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und DatentechnikAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001479http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2015monographic20142015Universitätsbibliothek RostockRostock20152015Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.CMOSgateoxid breakdownVerschleißUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479 2015-02-10T14:22:39.188Z 2023-08-08T10:05:38.794Z 2023-08-18T10:05:38.799Z editorD {"identifier":"rosdok/id00001479","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2018-06-30T13:14:06.161Z"} {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2018-06-30T13:14:06.341Z","registered":"2018-06-30T13:14:06.341Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00001479","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2018-06-30T13:14:07.723Z","registered":"2018-06-30T13:14:07.723Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2018-06-30T13:14:06.167Z","registered":"2015-02-13T03:10:46.117Z"} administratorfulltextfile/rosdok_disshab_0000001300/rosdok_derivate_0000023811/Dissertation_Saemrow_2015.pdfMaßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich GateoxiddefektenMaßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefektengnd:106591959Xgnd:132790505gnd:10085032-7gnd:106591959Xgnd:132790505gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001300-d1418445e39gnd:106591959XHagen SämrowHagen Sämrowrosdok_disshab_0000001300-d1418445e60gnd:132790505Prof. Dr.-Ing. Dirk TimmermannProf. Dr.-Ing. Dirk Timmermannrosdok_disshab_0000001300-d1418445e75Prof. Dr.-Ing. Maurits OrtmannsProf. Dr.-Ing. Maurits Ortmannsrosdok_disshab_0000001300-d1418445e88Prof. Dr.-Ing. habil. Christian HaubeltProf. Dr.-Ing. habil. Christian Haubeltrosdok_disshab_0000001300-d1418445e102gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHagen SämrowProf. Dr.-Ing. Dirk TimmermannProf. Dr.-Ing. Maurits OrtmannsProf. Dr.-Ing. habil. Christian HaubeltUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHagen SämrowProf. Dr.-Ing. Dirk TimmermannProf. Dr.-Ing. Maurits OrtmannsProf. Dr.-Ing. habil. Christian HaubeltUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHagen SämrowRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001479http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6CMOSgateoxid breakdownVerschleißDie fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.20152015[xslt]Saxonrosdok/id00001479https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id0000147981799250210.18453/rosdok_id00001479urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6Hagen SämrowSämrow HagenMaßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich GateoxiddefektenDissertationdoctoral thesisUniversität Rostock, 2015Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur…Hagen SämrowMaßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich GateoxiddefektenUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479106591959XHagenSämrow1979-VerfasserInaut132790505Prof. Dr.-Ing.DirkTimmermannUniversität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und DatentechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing.MauritsOrtmannsUniversität Ulm, Institut für MikroelektronikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing. habil.ChristianHaubeltUniversität Rostock, Institut für Angewandte Mikroelektronik und DatentechnikAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg[doi]10.18453/rosdok_id00001479[purl]http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479[urn]urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6open_access20152015epoch:21th_centuryrfc5646:dedoctype:epub.dissertationaccesscondition:openaccessSDNB:620institution:unirostock.iefstate:published