10.18453/rosdok_id00001479 Sämrow, Hagen Hagen Sämrow http://d-nb.info/gnd/106591959X Universität Rostock 2015 620 Engineering & allied operations 2015 de http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001479 urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6 Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.