mycoreobjectrosdok_disshab_0000001430rosdok_disshab_0000001430rosdokdisshabrosdok_derivate_00000300602023-08-08T10:06:16.461Z2015-09-16T11:34:39.957ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000030060truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id00001609842230424MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1079691545DanielWigger1978-VerfasserInautBeitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar TransistorendeProf. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing.JosefLutzTU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und InformationstechnikAkademischeR BetreuerIndgsDr.-Ing.Eberhard UlrichKrafftSiemens AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001609http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2015monographic20152015Universitätsbibliothek RostockRostock20152015Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.LeistungselektronikLeistungshalbleiterIGBTsRC-IGBTsUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609doctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisrfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Maschinenbauinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2licenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar TransistorenBeitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistorengnd:1079691545gnd:10085032-7gnd:1079691545gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001430-d530636e39gnd:1079691545Daniel WiggerDaniel Wiggerrosdok_disshab_0000001430-d530636e60Prof. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Hans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000001430-d530636e73Prof. Dr.-Ing. Josef LutzProf. Dr.-Ing. Josef Lutzrosdok_disshab_0000001430-d530636e86Dr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftDr.-Ing. Eberhard Ulrich Krafftrosdok_disshab_0000001430-d530636e100gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel WiggerProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Josef LutzDr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel WiggerProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Josef LutzDr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel WiggerRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001609http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9LeistungselektronikLeistungshalbleiterIGBTsRC-IGBTsRückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.20152015epub.dissertation1 Dissertation_Wigger_2015.pdf 5500681 0088a40f6030746b3ec56322e2d42419 rosdok/id00001609842230424MODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1079691545DanielWigger1978-VerfasserInautBeitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar TransistorendeProf. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing.JosefLutzTU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und InformationstechnikAkademischeR BetreuerIndgsDr.-Ing.Eberhard UlrichKrafftSiemens AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001609http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2015monographic20152015Universitätsbibliothek RostockRostock20152015Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.LeistungselektronikLeistungshalbleiterIGBTsRC-IGBTsUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609 2015-09-16T11:34:39.957Z 2023-08-08T10:06:16.461Z 2023-08-18T10:06:16.466Z editorD {"identifier":"rosdok/id00001609","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2018-06-30T13:18:37.239Z"} {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2018-06-30T13:18:37.441Z","registered":"2018-06-30T13:18:37.441Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00001609","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2018-06-30T13:18:38.792Z","registered":"2018-06-30T13:18:38.792Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2018-06-30T13:18:37.246Z","registered":"2015-12-08T03:20:20.187Z"} administratorfulltextfile/rosdok_disshab_0000001430/rosdok_derivate_0000030060/Dissertation_Wigger_2015.pdfBeitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar TransistorenBeitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistorengnd:1079691545gnd:10085032-7gnd:1079691545gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001430-d530636e39gnd:1079691545Daniel WiggerDaniel Wiggerrosdok_disshab_0000001430-d530636e60Prof. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Hans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000001430-d530636e73Prof. Dr.-Ing. Josef LutzProf. Dr.-Ing. Josef Lutzrosdok_disshab_0000001430-d530636e86Dr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftDr.-Ing. Eberhard Ulrich Krafftrosdok_disshab_0000001430-d530636e100gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel WiggerProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Josef LutzDr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel WiggerProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Josef LutzDr.-Ing. Eberhard Ulrich KrafftUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel WiggerRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001609http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9LeistungselektronikLeistungshalbleiterIGBTsRC-IGBTsRückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. 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Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung…Daniel WiggerBeitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar TransistorenUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id000016091079691545DanielWigger1978-VerfasserInautProf. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgsProf. Dr.-Ing.JosefLutzTU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und InformationstechnikAkademischeR BetreuerIndgsDr.-Ing.Eberhard UlrichKrafftSiemens AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg[doi]10.18453/rosdok_id00001609[purl]http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001609[urn]urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9open_access20152015epoch:21th_centuryrfc5646:dedoctype:epub.dissertationaccesscondition:openaccessSDNB:620institution:unirostock.iefstate:published