mycoreobjectrosdok_disshab_0000001597rosdok_disshab_0000001597rosdokdisshabrosdok_derivate_00000348062023-08-08T10:07:11.150Z2016-08-04T07:57:46.300ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000034806truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id0000177686545759XMODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1110040296JanFuhrmann1986-VerfasserInautIGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätzede115363866Prof. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgs173464920Prof. Dr.-Ing.NandoKaminskiUniversität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und BauelementeAkademischeR BetreuerIndgs137778538Dr.-Ing.DanielDomesInfineon Technologies AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001776http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2016monographic20162016Universitätsbibliothek RostockRostock20162016In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.LeistungshalbleiterErsatzschaltbildAusfallUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776doctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisrfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;Maschinenbauinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2licenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-HalbleiterversuchsplätzeIGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätzegnd:1110040296gnd:115363866gnd:173464920gnd:137778538gnd:10085032-7gnd:1110040296gnd:115363866gnd:173464920gnd:137778538gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000001597-d2276382e39gnd:1110040296Jan FuhrmannJan Fuhrmannrosdok_disshab_0000001597-d2276382e60gnd:115363866Prof. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Hans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000001597-d2276382e75gnd:173464920Prof. Dr.-Ing. Nando KaminskiProf. Dr.-Ing. Nando Kaminskirosdok_disshab_0000001597-d2276382e90gnd:137778538Dr.-Ing. Daniel DomesDr.-Ing. Daniel Domesrosdok_disshab_0000001597-d2276382e106gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJan FuhrmannProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Nando KaminskiDr.-Ing. Daniel DomesUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJan FuhrmannProf. Dr.-Ing. Hans-Günter EckelProf. Dr.-Ing. Nando KaminskiDr.-Ing. Daniel DomesUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikJan FuhrmannRostockUniversität Rostockepub.dissertation10.18453/rosdok_id00001776http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5LeistungshalbleiterErsatzschaltbildAusfallIn dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.20162016epub.dissertation1 Dissertation_Fuhrmann_2016.pdf 14216310 0445eed7cd1a2ae676d28e03f791e6b1 rosdok/id0000177686545759XMODS updated during RosDok migration in June 2021DissertationHochschulschrift1110040296JanFuhrmann1986-VerfasserInautIGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätzede115363866Prof. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgs173464920Prof. Dr.-Ing.NandoKaminskiUniversität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und BauelementeAkademischeR BetreuerIndgs137778538Dr.-Ing.DanielDomesInfineon Technologies AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg10.18453/rosdok_id00001776http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5620 Ingenieurwissenschaften und MaschinenbauFakultät für Informatik und Elektrotechnikfrei zugänglich (Open Access)Lizenz Metadaten: CC0Nutzungsrechte erteiltalle Rechte vorbehaltenUniversität RostockRostock2016monographic20162016Universitätsbibliothek RostockRostock20162016In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. 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Der…Jan FuhrmannIGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-HalbleiterversuchsplätzeUniversitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id000017761110040296JanFuhrmann1986-VerfasserInaut115363866Prof. Dr.-Ing.Hans-GünterEckelUniversität Rostock, Institut für Elektrische EnergietechnikAkademischeR BetreuerIndgs173464920Prof. Dr.-Ing.NandoKaminskiUniversität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und BauelementeAkademischeR BetreuerIndgs137778538Dr.-Ing.DanielDomesInfineon Technologies AGAkademischeR BetreuerIndgs10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und ElektrotechnikGrad-verleihende Institutiondgg[doi]10.18453/rosdok_id00001776[purl]http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776[urn]urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5open_access20162016epoch:21th_centuryrfc5646:dedoctype:epub.dissertationaccesscondition:openaccessSDNB:620institution:unirostock.iefstate:published