10.18453/rosdok_id00001776 Fuhrmann, Jan Jan Fuhrmann http://d-nb.info/gnd/1110040296 Universität Rostock 2016 620 Engineering & allied operations 2016 de http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00001776 urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5 In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.