mycoreobjectrosdok_disshab_0000002301rosdok_disshab_0000002301rosdokdisshabrosdok_derivate_00000888242023-08-08T10:11:24.436Z2020-06-19T06:21:27.837ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000088824truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id000026961701104075Oau2020-06-192023-08-05T19:14:48ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftEinfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBTDas Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.PatrickMünster1987 -VerfasserInaut1212244907Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs115363866Mark-MatthiasBakran1968 -AkademischeR BetreuerIndgs135690366Eberhard UlrichKrafft1970 -AkademischeR BetreuerIndgs13084733X38329-6Universität Rostock1419 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-810.18453/rosdok_id00002696620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de2019Universität RostockRostockmonographic202020192020Universitätsbibliothek RostockRostock2020Universitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universität Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG Nürnberg)vorgelegt von Patrick Münsterdoctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisSDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;MaschinenbauSDNB:621.3SDNB:621.3621.3 Elektrotechnik, Elektronik621.3 Electrical Engineering, Electronicsinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7licenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.cclicenselicenseinfo:work.cclicenseCC-LizenzCC-licenselicenseinfo:work.cclicense.cc-bylicenseinfo:work.cclicense.cc-byCC BYCC BYlicenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40licenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40CC BY 4.0CC BY 4.0/creativecommons/l/by/4.0/88x31.png[DE-28]Namensnennung 4.0 International$cCC BY 4.0$gCreative Commons$uhttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2rfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuEinfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBTEinfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBTgnd:1212244907gnd:115363866gnd:135690366gnd:13084733Xgnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1212244907gnd:115363866gnd:135690366gnd:13084733Xgnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000002301-d811851e54gnd:1212244907Patrick MünsterPatrick Münsterrosdok_disshab_0000002301-d811851e68gnd:115363866Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000002301-d811851e82gnd:135690366Mark-Matthias BakranMark-Matthias Bakranrosdok_disshab_0000002301-d811851e97gnd:13084733XEberhard Ulrich KrafftEberhard Ulrich Krafftrosdok_disshab_0000002301-d811851e111gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000002301-d811851e122gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikPatrick MünsterHans-Günter EckelMark-Matthias BakranEberhard Ulrich KrafftUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikPatrick MünsterHans-Günter EckelMark-Matthias BakranEberhard Ulrich KrafftUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikPatrick MünsterRostockUniversität Rostockepub.dissertationhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-810.18453/rosdok_id00002696Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.20192019Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universität Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG Nürnberg)vorgelegt von Patrick Münsterepub.dissertation1 Muenster_Dissertation_2020.pdf 3121670 3ec1ced10b4c5c694b0be6fc1eafd6b4 rosdok/id000026961701104075Oau2020-06-192023-08-05T19:14:48ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftEinfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBTDas Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). 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The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.PatrickMünster1987 -VerfasserInaut1212244907Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs115363866Mark-MatthiasBakran1968 -AkademischeR BetreuerIndgs135690366Eberhard UlrichKrafft1970 -AkademischeR BetreuerIndgs13084733X38329-6Universität Rostock1419 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-810.18453/rosdok_id00002696620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de2019Universität RostockRostockmonographic202020192020Universitätsbibliothek RostockRostock2020Universitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universität Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG Nürnberg)vorgelegt von Patrick Münster 2020-06-19T06:21:27.837Z 2023-08-08T10:11:24.436Z 2023-08-18T10:11:24.441Z {"identifier":"rosdok/id00002696","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2020-06-19T06:21:29.247Z"} editorD {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2020-06-19T06:30:18.464Z","registered":"2020-06-19T06:30:18.464Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00002696","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2020-06-19T06:30:21.276Z","registered":"2020-06-19T06:30:21.276Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2020-06-19T06:21:29.637Z","registered":"2020-06-20T02:05:02.227Z"} administratorfulltextfile/rosdok_disshab_0000002301/rosdok_derivate_0000088824/Muenster_Dissertation_2020.pdfEinfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBTEinfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBTgnd:1212244907gnd:115363866gnd:135690366gnd:13084733Xgnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1212244907gnd:115363866gnd:135690366gnd:13084733Xgnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000002301-d811851e54gnd:1212244907Patrick MünsterPatrick Münsterrosdok_disshab_0000002301-d811851e68gnd:115363866Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000002301-d811851e82gnd:135690366Mark-Matthias BakranMark-Matthias Bakranrosdok_disshab_0000002301-d811851e97gnd:13084733XEberhard Ulrich KrafftEberhard Ulrich Krafftrosdok_disshab_0000002301-d811851e111gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000002301-d811851e122gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikPatrick MünsterHans-Günter EckelMark-Matthias BakranEberhard Ulrich KrafftUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikPatrick MünsterHans-Günter EckelMark-Matthias BakranEberhard Ulrich KrafftUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikPatrick MünsterRostockUniversität Rostockepub.dissertationhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-810.18453/rosdok_id00002696Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). 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