10.18453/rosdok_id00002730 Werner, Robin Marián Robin Marián Werner http://d-nb.info/gnd/1216196621 Universität Rostock 2020 621.3 Electrical Engineering, Electronics 2020 de http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002730 urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002730-6 Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden.