mycoreobjectrosdok_disshab_0000002488rosdok_disshab_0000002488rosdokdisshabrosdok_derivate_00000999152023-08-08T10:12:45.556Z2021-04-16T09:34:22.050ZadministratoreditorDpublished1rosdok_derivate_0000099915truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id000029941755134258Oau2021-04-162023-08-05T19:17:03ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftRückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger DiodencharakteristikIn dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.In this dissertation, a novel Trench RC-IGBT concept, called RC-GID-IGBT, is proposed. This new RC-IGBT structure allows operation with a conventional IGBT gate drive and has reverse recovery charge in diode operating mode as low as a state-of-the-art freewheeling diodes. This is achieved by introducing dedicated areas for the diode operation as well as an auxiliary schottky emitter into the IGBT chip without generating negative electrical effects on the IGBT mode. As a result, the novel RC-GID-IGBT can take full advantage of the thermal benefit.Quang TienTran1984 -VerfasserInaut1231574690Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs115363866NandoKaminski1968 -AkademischeR BetreuerIndgs1734649200000-0002-3616-0642RomanBaburske1980 -AkademischeR BetreuerIndgs14070200838329-6Universität Rostock1419 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-410.18453/rosdok_id00002994530 Physik621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de2020Universität RostockRostockmonographic202120202021Universitätsbibliothek RostockRostock2021Universitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg)Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Quang Tien TranStromrichterLeistungshalbleiterChipSchottky-Kontaktdoctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisSDNB:530SDNB:530530 Physik530 PhysicsSDNB:621.3SDNB:621.3621.3 Elektrotechnik, Elektronik621.3 Electrical Engineering, Electronicsinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7licenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.cclicenselicenseinfo:work.cclicenseCC-LizenzCC-licenselicenseinfo:work.cclicense.cc-bylicenseinfo:work.cclicense.cc-byCC BYCC BYlicenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40licenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40CC BY 4.0CC BY 4.0/creativecommons/l/by/4.0/88x31.png[DE-28]Namensnennung 4.0 International$cCC BY 4.0$gCreative Commons$uhttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2rfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuRückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger DiodencharakteristikRückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristikgnd:1231574690gnd:115363866gnd:173464920orcid:0000-0002-3616-0642gnd:140702008gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1231574690gnd:115363866gnd:173464920orcid:0000-0002-3616-0642gnd:140702008gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000002488-d2367004e54gnd:1231574690Quang Tien TranQuang Tien Tranrosdok_disshab_0000002488-d2367004e68gnd:115363866Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000002488-d2367004e82gnd:173464920orcid:0000-0002-3616-0642Nando KaminskiNando Kaminskirosdok_disshab_0000002488-d2367004e99gnd:140702008Roman BaburskeRoman Baburskerosdok_disshab_0000002488-d2367004e113gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000002488-d2367004e124gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikQuang Tien TranHans-Günter EckelNando KaminskiRoman BaburskeUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikQuang Tien TranHans-Günter EckelNando KaminskiRoman BaburskeUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikQuang Tien TranRostockUniversität Rostockepub.dissertationhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-410.18453/rosdok_id00002994StromrichterLeistungshalbleiterChipSchottky-KontaktIn dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.In this dissertation, a novel Trench RC-IGBT concept, called RC-GID-IGBT, is proposed. This new RC-IGBT structure allows operation with a conventional IGBT gate drive and has reverse recovery charge in diode operating mode as low as a state-of-the-art freewheeling diodes. This is achieved by introducing dedicated areas for the diode operation as well as an auxiliary schottky emitter into the IGBT chip without generating negative electrical effects on the IGBT mode. As a result, the novel RC-GID-IGBT can take full advantage of the thermal benefit.20202020Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg)Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Quang Tien Tranepub.dissertation1 Tran_Dissertation_2021.pdf 10835827 f6ad41c0d9059fd21961b918b509c820 rosdok/id000029941755134258Oau2021-04-162023-08-05T19:17:03ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftRückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger DiodencharakteristikIn dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.In this dissertation, a novel Trench RC-IGBT concept, called RC-GID-IGBT, is proposed. This new RC-IGBT structure allows operation with a conventional IGBT gate drive and has reverse recovery charge in diode operating mode as low as a state-of-the-art freewheeling diodes. This is achieved by introducing dedicated areas for the diode operation as well as an auxiliary schottky emitter into the IGBT chip without generating negative electrical effects on the IGBT mode. As a result, the novel RC-GID-IGBT can take full advantage of the thermal benefit.Quang TienTran1984 -VerfasserInaut1231574690Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs115363866NandoKaminski1968 -AkademischeR BetreuerIndgs1734649200000-0002-3616-0642RomanBaburske1980 -AkademischeR BetreuerIndgs14070200838329-6Universität Rostock1419 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-410.18453/rosdok_id00002994530 Physik621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de2020Universität RostockRostockmonographic202120202021Universitätsbibliothek RostockRostock2021Universitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg)Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Quang Tien TranStromrichterLeistungshalbleiterChipSchottky-Kontakt 2021-04-16T09:34:22.050Z 2023-08-08T10:12:45.556Z 2023-08-18T10:12:45.561Z {"identifier":"rosdok/id00002994","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2021-04-16T09:34:22.204Z"} editorD {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2021-04-16T09:44:56.378Z","registered":"2021-04-16T09:44:56.378Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00002994","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2021-04-16T09:45:00.456Z","registered":"2021-04-16T09:45:00.456Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2021-04-16T09:34:22.225Z","registered":"2021-04-17T02:22:39.707Z"} administratorfulltextfile/rosdok_disshab_0000002488/rosdok_derivate_0000099915/Tran_Dissertation_2021.pdfRückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger DiodencharakteristikRückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristikgnd:1231574690gnd:115363866gnd:173464920orcid:0000-0002-3616-0642gnd:140702008gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1231574690gnd:115363866gnd:173464920orcid:0000-0002-3616-0642gnd:140702008gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000002488-d2367004e54gnd:1231574690Quang Tien TranQuang Tien Tranrosdok_disshab_0000002488-d2367004e68gnd:115363866Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000002488-d2367004e82gnd:173464920orcid:0000-0002-3616-0642Nando KaminskiNando Kaminskirosdok_disshab_0000002488-d2367004e99gnd:140702008Roman BaburskeRoman Baburskerosdok_disshab_0000002488-d2367004e113gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000002488-d2367004e124gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikQuang Tien TranHans-Günter EckelNando KaminskiRoman BaburskeUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikQuang Tien TranHans-Günter EckelNando KaminskiRoman BaburskeUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikQuang Tien TranRostockUniversität Rostockepub.dissertationhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-410.18453/rosdok_id00002994StromrichterLeistungshalbleiterChipSchottky-KontaktIn dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. 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As a result, the novel RC-GID-IGBT can take full advantage of the thermal benefit.20202020Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg)Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Quang Tien Tran[xslt]Saxonrosdok/id00002994https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994175513425810.18453/rosdok_id00002994urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4Quang Tien TranTran Quang TienRückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger DiodencharakteristikDissertationdoctoral thesisUniversität Rostock, 2020In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. 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