mycoreobjectrosdok_disshab_0000002675rosdok_disshab_0000002675rosdokdisshabrosdok_derivate_00001098982025-10-14T13:43:57.436Z2022-01-26T10:34:26.778ZeditorKEeditorMSpublished1rosdok_derivate_0000109898truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id000034581787201392Oau2022-01-262023-08-05T19:19:11ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftDieKurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-DreipunktumrichterDie Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden.The work deals with semiconductor short circuits occurring in the three-level Active-Neutral-Point-Clamped converter. They have the disadvantage that after a breakdown of a semiconductor, there is the danger that further components are destroyed, and consequential damage occurs. Therefore, the work has the task of investigating all possible switching combinations in the converter to generate the three-phase output voltages, which breakdown of a semiconductor can occur, and which short circuits will finally result from it.DavidHammes1989 -VerfasserInaut1250362423Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs115363866Universität RostockSteffenBernet1963 -AkademischeR BetreuerIndgs1728867590000-0002-4289-4108Universität DresdenDietmarKrug1974 -AkademischeR BetreuerIndgs1119901944Siemens AG Industry38329-6Universität Rostock1419 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00003458urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-910.18453/rosdok_id00003458600 Technik620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY-NC-ND 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de2021Universität RostockRostockmonographic202220212022Universitätsbibliothek RostockRostock2022Universitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00003458Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Steffen Bernet (Universität Dresden) ; Dietmar Krug (Siemens AG Industry)[{"affil":"Universität Rostock","name":"Eckel, Hans-Günter"},{"affil":"Universität Dresden","name":"Bernet, Steffen"},{"affil":"Siemens AG Industry","name":"Krug, Dietmar"}]Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode insulated-gate bipolar transistorvorgelegt von David HammesKurzschlussUmrichterHalbleiterUniversität RostockEckel, Hans-GünterUniversität DresdenBernet, SteffenSiemens AG IndustryKrug, Dietmardoctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisSDNB:600SDNB:600600 Technik600 Technology (Applied sciences)SDNB:620SDNB:620620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau620 Engineering & allied operations620 Ingenieurwissenschaften und<br/>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;MaschinenbauSDNB:621.3SDNB:621.3621.3 Elektrotechnik, Elektronik621.3 Electrical Engineering, Electronicsinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7licenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.cclicenselicenseinfo:work.cclicenseCC-LizenzCC-licenselicenseinfo:work.cclicense.cc-by-nc-ndlicenseinfo:work.cclicense.cc-by-nc-ndCC BY-NC-NDCC BY-NC-NDlicenseinfo:work.cclicense.cc-by-nc-nd.v40licenseinfo:work.cclicense.cc-by-nc-nd.v40CC BY-NC-ND 4.0CC BY-NC-ND 4.0/creativecommons/l/by-nc-nd/4.0/88x31.png[DE-28]Namensnennung - Nicht kommerziell - Keine Bearbeitungen 4.0 International$cCC BY-NC-ND 4.0$gCreative Commons$uhttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2rfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuDieKurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-DreipunktumrichterDie Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichtergnd:1250362423gnd:115363866gnd:172886759orcid:0000-0002-4289-4108gnd:1119901944gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1250362423gnd:115363866gnd:172886759orcid:0000-0002-4289-4108gnd:1119901944gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000002675-d60593e55gnd:1250362423David HammesDavid Hammesrosdok_disshab_0000002675-d60593e69gnd:115363866Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000002675-d60593e84gnd:172886759orcid:0000-0002-4289-4108Steffen BernetSteffen Bernetrosdok_disshab_0000002675-d60593e102gnd:1119901944Dietmar KrugDietmar Krugrosdok_disshab_0000002675-d60593e117gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000002675-d60593e128gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDavid HammesHans-Günter EckelSteffen BernetDietmar KrugUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDavid HammesHans-Günter EckelSteffen BernetDietmar KrugUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDavid HammesRostockUniversität Rostockepub.dissertationhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00003458urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-910.18453/rosdok_id00003458KurzschlussUmrichterHalbleiterDie Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden.The work deals with semiconductor short circuits occurring in the three-level Active-Neutral-Point-Clamped converter. They have the disadvantage that after a breakdown of a semiconductor, there is the danger that further components are destroyed, and consequential damage occurs. Therefore, the work has the task of investigating all possible switching combinations in the converter to generate the three-phase output voltages, which breakdown of a semiconductor can occur, and which short circuits will finally result from it.20212021Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Steffen Bernet (Universität Dresden) ; Dietmar Krug (Siemens AG Industry)[{"affil":"Universität Rostock","name":"Eckel, Hans-Günter"},{"affil":"Universität Dresden","name":"Bernet, Steffen"},{"affil":"Siemens AG Industry","name":"Krug, Dietmar"}]Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode insulated-gate bipolar transistorvorgelegt von David Hammesepub.dissertation1 Hammes_Dissertation_2022.pdf 14430471 af19b07c80251d72c4767daeadb0a55d rosdok/id000034581787201392Oau2022-01-262023-08-05T19:19:11ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftDieKurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-DreipunktumrichterDie Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. 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