10.18453/rosdok_id00004856 Kaiser, Ingmar Ingmar Kaiser http://d-nb.info/gnd/1370643950 Universität Rostock 2023 600 Technology (Applied sciences) 620 Engineering & allied operations 621.3 Electrical Engineering, Electronics 2023 de https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00004856 urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00004856-8 In dieser Arbeit werden drei Mehrpunkt-Umrichter-Topologien mit Niedervolt Si-MOSFET ausgelegt. Zu diesen drei Topologien gehören der modulare Multilevel-Umrichter sowie der Flying-Capacitor und Active-Neutral-Point-Clamped Mehrpunkt-Umrichter. Fokus der Auslegung ist die Dimensionierung der MOSFET sowie der Kondensatoren der Mehrpunkt-Umrichter-Topologien im Nennbetriebspunkt. Die Topologien werden im Anschluss an die Auslegung quantitativ miteinander verglichen. Die vielversprechenste Mehrpunkt-Umrichter-Topologie wird zum Abschluss einem existierenden Zweipunkt-Umrichter gegenübergestellt.