mycoreobjectrosdok_disshab_0000003420rosdok_disshab_0000003420rosdokdisshabrosdok_derivate_00002260252026-02-18T10:04:44.567Z2026-02-17T13:27:21.715ZeditorFGeditorFGpublished1rosdok_derivate_0000226025truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id000051161961345218Oau2026-02-172026-02-18T10:04:42ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2MODS XSLT Transformer 2.10 [SCM: "f6c168af690edb7cb65ef34e4a2bf7f8714c5d38" "v2.10" "2024-03-28T14:43:08+0100"] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftHybrider 1.7 kV-Leistungsschalter aus parallelen Silizium-IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETsEin hybrider 1.7 kV-Schalter aus parallel geschaltetem Si-IGBT und SiC-MOSFET wird experimentell untersucht. Die Schalteigenschaften werden in einem skalierten Messaufbau charakterisiert und mit reinen Si- und SiC-Schaltern unter identischer Methodik und Treiberauslegung verglichen. Unterschiedliche Pulsmuster beeinflussen Abschaltverhalten, Verluste, Oszillationen und dynamischen Avalanche. Berechnungen eines Wechselrichters zeigen vorteilhafte Betriebspunkte und teils höhere Ströme als reine SiC-Module. Eine Treiberschaltung für erhöhte Kurzschlussfestigkeit wird vorgestellt.A hybrid 1.7 kV switch consisting of a parallel-connected Si IGBT and SiC MOSFET is being investigated experimentally. The switching characteristics are characterized in a scaled measurement setup and compared with pure Si and SiC switches using identical methodology and boundaries for driver design. Different pulse patterns influence turn-off behavior, losses, oscillations, and dynamic avalanche. Calculations for an inverter show advantageous operating points and, in some cases, higher currents than pure SiC modules. A driver circuit for increased short-circuit resistance is presented.FelixKayser1992 -VerfasserInaut1390504611Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs1153638660009-0009-2666-7309Universität RostockThomasBasler1985 -AkademischeR BetreuerIndgs10560565250000-0003-1489-6461Technische Universität ChemnitzDanielDomes1976 -AkademischeR BetreuerIndgs137778538Infineon Technologies AG38329-6Universität Rostock1419 - 19761990 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005116urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005116-310.18453/rosdok_id00005116600 Technik620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de1 Online-Ressource (XXI, 227 Seiten)20258. 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Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7licenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.cclicenselicenseinfo:work.cclicenseCC-LizenzCC-licenselicenseinfo:work.cclicense.cc-bylicenseinfo:work.cclicense.cc-byCC BYCC BYlicenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40licenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40CC BY 4.0CC BY 4.0/creativecommons/l/by/4.0/88x31.png[DE-28]Namensnennung 4.0 International$cCC BY 4.0$gCreative Commons$uhttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2rfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuHybrider 1.7 kV-Leistungsschalter aus parallelen Silizium-IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETsHybrider 1.7 kV-Leistungsschalter aus parallelen Silizium-IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETsgnd:1390504611gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309gnd:1056056525orcid:0000-0003-1489-6461gnd:137778538gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1390504611gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309gnd:1056056525orcid:0000-0003-1489-6461gnd:137778538gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000003420-d1344823e54gnd:1390504611Felix KayserFelix Kayserrosdok_disshab_0000003420-d1344823e68gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000003420-d1344823e85gnd:1056056525orcid:0000-0003-1489-6461Thomas BaslerThomas Baslerrosdok_disshab_0000003420-d1344823e103gnd:137778538Daniel DomesDaniel Domesrosdok_disshab_0000003420-d1344823e118gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000003420-d1344823e131gnd:10085032-7Universität Rostock. 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