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    <title>Hybrider 1.7 kV-Leistungsschalter aus parallelen Silizium-IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETs</title>
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  <publisher>Universität Rostock</publisher>
  <publicationYear>2025</publicationYear>
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    <date dateType="Created">2025</date>
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    <description descriptionType="Abstract">Ein hybrider 1.7 kV-Schalter aus parallel geschaltetem Si-IGBT und SiC-MOSFET wird experimentell untersucht. Die Schalteigenschaften werden in einem skalierten Messaufbau charakterisiert und mit reinen Si- und SiC-Schaltern unter identischer Methodik und Treiberauslegung verglichen. Unterschiedliche Pulsmuster beeinflussen Abschaltverhalten, Verluste, Oszillationen und dynamischen Avalanche. Berechnungen eines Wechselrichters zeigen vorteilhafte Betriebspunkte und teils höhere Ströme als reine SiC-Module. Eine Treiberschaltung für erhöhte Kurzschlussfestigkeit wird vorgestellt.</description>
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