mycoreobjectrosdok_disshab_0000003556rosdok_disshab_0000003556rosdokdisshabrosdok_derivate_00002274182026-05-28T15:28:19.135Z2026-05-28T14:54:53.006ZMCRJANITOReditorFGpublished1rosdok_derivate_0000227418truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok_id000055541971947350Oau2026-05-282026-05-28T15:03:27ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2MODS XSLT Transformer 2.14-SNAPSHOT [SCM: "" "" ""] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter SpannungIn Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.DanielLexow1987 -VerfasserInaut1400939836Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs1153638660009-0009-2666-7309Institut für Elektrische Energietechnik, Universität RostockAlbrechtGensior1979 -AkademischeR BetreuerIndgs1378474670000-0002-4276-6819Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau38329-6Universität Rostock1419 - 19761990 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-210.18453/rosdok_id00005554621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und Elektrotechnikalle Rechte vorbehaltenNutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de1 Online-Ressource (XVIII, 143 Seiten)202526.03.2025Universität RostockRostockmonographic20252026Universitätsbibliothek RostockRostock2026Universitätsbibliothek Rostockhttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock) ; Albrecht Gensior (Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau)[{"name":"Eckel, Hans-Günter","affil":"Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock"},{"name":"Gensior, Albrecht","affil":"Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau"}]Dissertation, Universität Rostock, 2025Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Daniel LexowEckel, Hans-GünterInstitut für Elektrische Energietechnik, Universität RostockGensior, AlbrechtFachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenaudoctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.dissertationdoctype:epub.dissertationDissertationdoctoral thesisdiniPublType:doctoralThesis diniPublType2022:PhDThesis XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:DoctoralThesisdiniPublType2022:DoctoralThesisDissertation oder HabilitationDoctoral thesisDRIVERdiniPublType2022:PhDThesisdiniPublType2022:PhDThesisDissertationPhD thesisKDSF (Pu34)XMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralXMetaDissPlusThesisLevel:thesis.doctoralDoktorarbeitdoctoral thesisSDNB:621.3SDNB:621.3621.3 Elektrotechnik, Elektronik621.3 Electrical Engineering, Electronicsinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7licenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.rightsreservedlicenseinfo:work.rightsreservedalle Rechte vorbehaltenall rights reserved/creativecommons/r/reserved/0.9/88x31.png[DE-28]Urheberrechtsschutz 1.0$gRights Statements$uhttp://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2rfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter SpannungAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannunggnd:1400939836gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309gnd:137847467orcid:0000-0002-4276-6819gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1400939836gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309gnd:137847467orcid:0000-0002-4276-6819gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000003556-d829481e52gnd:1400939836Daniel LexowDaniel Lexowrosdok_disshab_0000003556-d829481e66gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000003556-d829481e83gnd:137847467orcid:0000-0002-4276-6819Albrecht GensiorAlbrecht Gensiorrosdok_disshab_0000003556-d829481e100gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000003556-d829481e114gnd:10085032-7Universität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel LexowHans-Günter EckelAlbrecht GensiorUniversität RostockUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel LexowHans-Günter EckelAlbrecht GensiorUniversität RostockUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel LexowRostockUniversität Rostockepub.dissertationhttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-210.18453/rosdok_id00005554In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.20252025Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock) ; Albrecht Gensior (Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau)[{"name":"Eckel, Hans-Günter","affil":"Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock"},{"name":"Gensior, Albrecht","affil":"Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau"}]Dissertation, Universität Rostock, 2025Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Daniel Lexowepub.dissertation1 Lexow_Dissertation_2026.pdf 12749557 86c37810cdf02517207d6055365d766b rosdok_id000055541971947350Oau2026-05-282026-05-28T15:03:27ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2MODS XSLT Transformer 2.14-SNAPSHOT [SCM: "" "" ""] with mode 'DEFAULT'.DissertationHochschulschriftAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter SpannungIn Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.DanielLexow1987 -VerfasserInaut1400939836Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs1153638660009-0009-2666-7309Institut für Elektrische Energietechnik, Universität RostockAlbrechtGensior1979 -AkademischeR BetreuerIndgs1378474670000-0002-4276-6819Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau38329-6Universität Rostock1419 - 19761990 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-210.18453/rosdok_id00005554621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und Elektrotechnikalle Rechte vorbehaltenNutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de1 Online-Ressource (XVIII, 143 Seiten)202526.03.2025Universität RostockRostockmonographic20252026Universitätsbibliothek RostockRostock2026Universitätsbibliothek Rostockhttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock) ; Albrecht Gensior (Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau)[{"name":"Eckel, Hans-Günter","affil":"Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock"},{"name":"Gensior, Albrecht","affil":"Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau"}]Dissertation, Universität Rostock, 2025Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Daniel Lexow Eckel, Hans-Günter Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock Gensior, Albrecht Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau 2026-05-28T14:54:53.006Z 2026-05-28T15:28:19.135Z 2026-06-07T15:28:19.145Z editorFG {"identifier":"rosdok/id00005554","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2026-05-28T14:54:53.032Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-2","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2026-05-28T14:54:53.043Z"} {"identifier":"https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2026-05-28T14:54:53.048Z","registrationStarted":"2026-05-28T15:28:17.875Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00005554","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2026-05-28T14:54:53.052Z","registrationStarted":"2026-05-28T15:28:17.632Z","registered":"2026-05-28T15:28:19.133Z"} MCRJANITORfulltextfile/rosdok_disshab_0000003556/rosdok_derivate_0000227418/Lexow_Dissertation_2026.pdfAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter SpannungAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannunggnd:1400939836gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309gnd:137847467orcid:0000-0002-4276-6819gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:1400939836gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309gnd:137847467orcid:0000-0002-4276-6819gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_disshab_0000003556-d829481e52gnd:1400939836Daniel LexowDaniel Lexowrosdok_disshab_0000003556-d829481e66gnd:115363866orcid:0009-0009-2666-7309Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_disshab_0000003556-d829481e83gnd:137847467orcid:0000-0002-4276-6819Albrecht GensiorAlbrecht Gensiorrosdok_disshab_0000003556-d829481e100gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_disshab_0000003556-d829481e114gnd:10085032-7Universität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel LexowHans-Günter EckelAlbrecht GensiorUniversität RostockUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel LexowHans-Günter EckelAlbrecht GensiorUniversität RostockUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikDaniel LexowRostockUniversität Rostockepub.dissertationhttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-210.18453/rosdok_id00005554In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.20252025Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock) ; Albrecht Gensior (Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau)[{"name":"Eckel, Hans-Günter","affil":"Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock"},{"name":"Gensior, Albrecht","affil":"Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau"}]Dissertation, Universität Rostock, 2025Insulated-Gate Bipolar Transistorvorgelegt von Daniel Lexow[xslt]Saxonrosdok_id00005554https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554197194735010.18453/rosdok_id00005554urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-2Daniel LexowLexow DanielAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter SpannungDissertationdoctoral thesisUniversität Rostock, 26.03.2025In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische…Daniel LexowAnsteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter SpannungInsulated-Gate Bipolar TransistorUniversitätsbibliothek Rostockhttps://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554DanielLexow1987 -VerfasserInaut1400939836Hans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs1153638660009-0009-2666-7309Institut für Elektrische Energietechnik, Universität RostockAlbrechtGensior1979 -AkademischeR BetreuerIndgs1378474670000-0002-4276-6819Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau38329-6Universität Rostock1419 - 19761990 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität Rostock. Fakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgg[purl]https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554[urn]urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-2[doi]10.18453/rosdok_id00005554open_access20252025epoch:21th_centuryrfc5646:dedoctype:epub.dissertationaccesscondition:openaccessSDNB:621.3institution:unirostock.iefstate:published