10.18453/rosdok_id00005554
Lexow, Daniel
Daniel
Lexow
http://d-nb.info/gnd/1400939836
Ansteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannung
Universität Rostock
2025
621.3 Electrical Engineering, Electronics
2025
de
https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-2
In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.