mycoreobjectrosdok_thesis_0000000032rosdok_thesis_0000000032rosdokthesisrosdok_derivate_00000860752023-08-08T09:26:44.391Z2020-04-06T07:35:20.313ZadministratoreditorTpublished1rosdok_derivate_0000086075truetruederivate_types:fulltextVolltextfulltextwf_edit_epub wf_register_epubstate:publishedstate:publishedveröffentlichtpublishedrosdok/id000026491694098249Oau2020-04-062023-08-05T18:55:52ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.MasterarbeitHochschulschriftDämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFETIn dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.In this thesis a new approach to suppress the switching ringing of SiC-MOSFETs is proposed. The damping resistor is coupled inductively. Contrary to other approaches there is no secondary winding used, but an attenuator consisting of only an iron powder core. This core is designed to have maximum loss at the frequency of the ringing and is placed on the bus connections of the module. Experimental results using 1200V-SiC-MOSFET module at currents of up to 200 A validate this approach. It is a very simple and cheap approach with a good damping behaviour and relatively low additional overvoltage.HannesKrünägelVerfasserInautFlorianSawallichAkademischeR BetreuerIndgsHans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs11536386638329-6Universität Rostock1419 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-410.18453/rosdok_id00002649621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de2020Universität RostockRostockmonographic202020202020Universitätsbibliothek RostockRostock2020Universitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649Florian Sawallich (Institut für Elektrische Energietechnik) ; Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik)vorgelegt von Hannes Krünägeldoctype:epubdoctype:epubDokumenttypDocument typedoctype:epub.masterthesisdoctype:epub.masterthesisMasterarbeitmaster thesisdiniPublType:masterThesis diniPublType2022:MasterThesis XMetaDissPlusThesisLevel:masterinfo:eu-repo/semantics/masterThesisdocumentnatureOfContent:ppn_105825778natureOfContent:ppn_105825778HochschulschriftdiniPublType2022:MasterThesisdiniPublType2022:MasterThesisAbschlussarbeit (Master)master thesisDRIVERXMetaDissPlusThesisLevel:masterXMetaDissPlusThesisLevel:masterMasterarbeitmaster thesisSDNB:621.3SDNB:621.3621.3 Elektrotechnik, Elektronik621.3 Electrical Engineering, Electronicsinstitution:unirostockinstitution:unirostockUniversität RostockUniversity of RostockUniversität RostockUniversität RostockUni.Rostockhttp://d-nb.info/gnd/38329-6institution:unirostock.iefinstitution:unirostock.iefFakultät für Informatik und ElektrotechnikFaculty of Computer Science and Electrical EngineeringUniversität Rostock. Fakultät für Informatik und ElektrotechnikFakultät für Informatik<br />und ElektrotechnikUni.Rostock.Fakultaet.IEFhttp://d-nb.info/gnd/10085032-7licenseinfo:worklicenseinfo:workWerkworklicenseinfo:work.cclicenselicenseinfo:work.cclicenseCC-LizenzCC-licenselicenseinfo:work.cclicense.cc-bylicenseinfo:work.cclicense.cc-byCC BYCC BYlicenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40licenseinfo:work.cclicense.cc-by.v40CC BY 4.0CC BY 4.0/creativecommons/l/by/4.0/88x31.png[DE-28]Namensnennung 4.0 International$cCC BY 4.0$gCreative Commons$uhttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/licenseinfo:depositlicenseinfo:depositVeröffentlichungsgenehmigungpermission to storelicenseinfo:deposit.rightsgrantedlicenseinfo:deposit.rightsgrantedNutzungsrechte erteiltrights grantedlicenseinfo:metadatalicenseinfo:metadataLizenzen für Metadatenlicenseinfo:metadata.cc0licenseinfo:metadata.cc0Lizenz Metadaten: CC0license metadata: CC0/creativecommons/p/zero/1.0/88x31.pnghttps://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/accesscondition:openaccessaccesscondition:openaccessfrei zugänglich (Open Access)open accesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2OAfreeinfo:eu-repo/semantics/openAccess[DE-28]Open Access$gControlled Vocabulary for Access Rights$uhttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2rfc5646:derfc5646:deDeutschGermangerdeuDämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFETDämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFETgnd:115363866gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:115363866gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_thesis_0000000032-d921685e54Hannes KrünägelHannes Krünägelrosdok_thesis_0000000032-d921685e64Florian SawallichFlorian Sawallichrosdok_thesis_0000000032-d921685e74gnd:115363866Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_thesis_0000000032-d921685e89gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_thesis_0000000032-d921685e100gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHannes KrünägelFlorian SawallichHans-Günter EckelUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHannes KrünägelFlorian SawallichHans-Günter EckelUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHannes KrünägelRostockUniversität Rostockepub.masterthesishttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-410.18453/rosdok_id00002649In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.In this thesis a new approach to suppress the switching ringing of SiC-MOSFETs is proposed. The damping resistor is coupled inductively. Contrary to other approaches there is no secondary winding used, but an attenuator consisting of only an iron powder core. This core is designed to have maximum loss at the frequency of the ringing and is placed on the bus connections of the module. Experimental results using 1200V-SiC-MOSFET module at currents of up to 200 A validate this approach. It is a very simple and cheap approach with a good damping behaviour and relatively low additional overvoltage.20202020Florian Sawallich (Institut für Elektrische Energietechnik) ; Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik)vorgelegt von Hannes Krünägelepub.masterthesis1 Kruenaegel_Master_2020.pdf 6305993 0d41f3032e1674bad69c26ecc120cd8c rosdok/id000026491694098249Oau2020-04-062023-08-05T18:55:52ZrdaConverted from PICA to MODS using Pica2Mods XSLT Transformer 2.7 [SCM: "0c0e7a3c226a4a0cbcbec39b493c3c5257339ab8" "v2.7" "2023-08-04T00:00:00+0200"] with mode 'DEFAULT'.MasterarbeitHochschulschriftDämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFETIn dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.In this thesis a new approach to suppress the switching ringing of SiC-MOSFETs is proposed. The damping resistor is coupled inductively. Contrary to other approaches there is no secondary winding used, but an attenuator consisting of only an iron powder core. This core is designed to have maximum loss at the frequency of the ringing and is placed on the bus connections of the module. Experimental results using 1200V-SiC-MOSFET module at currents of up to 200 A validate this approach. It is a very simple and cheap approach with a good damping behaviour and relatively low additional overvoltage.HannesKrünägelVerfasserInautFlorianSawallichAkademischeR BetreuerIndgsHans-GünterEckel1963 -AkademischeR BetreuerIndgs11536386638329-6Universität Rostock1419 -Grad-verleihende Institutiondgg10085032-7Universität RostockFakultät für Informatik und Elektrotechnik2004 -Grad-verleihende Institutiondgghttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-410.18453/rosdok_id00002649621.3 Elektrotechnik, ElektronikFakultät für Informatik und ElektrotechnikCC BY 4.0Nutzungsrechte erteiltLizenz Metadaten: CC0frei zugänglich (Open Access)de2020Universität RostockRostockmonographic202020202020Universitätsbibliothek RostockRostock2020Universitätsbibliothek Rostockhttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649Florian Sawallich (Institut für Elektrische Energietechnik) ; Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik)vorgelegt von Hannes Krünägel 2020-04-06T07:35:20.313Z 2023-08-08T09:26:44.391Z 2023-08-18T09:26:44.401Z {"identifier":"rosdok/id00002649","type":"local_id","additional":"","service":"MCRLocalID","created":"2020-04-06T07:35:20.876Z"} editorT {"identifier":"http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649","type":"purl","additional":"","service":"RosDokPURL","created":"2020-04-06T08:00:10.245Z","registered":"2020-04-06T08:00:10.245Z"} {"identifier":"10.18453/rosdok_id00002649","type":"doi","additional":"","service":"RosDokDOI","created":"2020-04-06T08:00:17.211Z","registered":"2020-04-06T08:00:17.211Z"} {"identifier":"urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-4","type":"dnbUrn","additional":"","service":"RosDokURN","created":"2020-04-06T07:35:21.007Z","registered":"2020-04-07T02:29:38.697Z"} administratorfulltextfile/rosdok_thesis_0000000032/rosdok_derivate_0000086075/Kruenaegel_Master_2020.pdfDämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFETDämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFETgnd:115363866gnd:38329-6gnd:10085032-7gnd:115363866gnd:38329-6gnd:10085032-7rosdok_thesis_0000000032-d921685e54Hannes KrünägelHannes Krünägelrosdok_thesis_0000000032-d921685e64Florian SawallichFlorian Sawallichrosdok_thesis_0000000032-d921685e74gnd:115363866Hans-Günter EckelHans-Günter Eckelrosdok_thesis_0000000032-d921685e89gnd:38329-6Universität RostockUniversität Rostockrosdok_thesis_0000000032-d921685e100gnd:10085032-7Universität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHannes KrünägelFlorian SawallichHans-Günter EckelUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHannes KrünägelFlorian SawallichHans-Günter EckelUniversität RostockUniversität Rostock Fakultät für Informatik und ElektrotechnikHannes KrünägelRostockUniversität Rostockepub.masterthesishttp://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-410.18453/rosdok_id00002649In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. 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