10.18453/rosdok_id00002649 Krünägel, Hannes Hannes Krünägel Universität Rostock 2020 621.3 Electrical Engineering, Electronics 2020 de http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649 urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-4 In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.