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| Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar
Transistoren |
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| contributing persons: |
| Jürgen Böhmer[VerfasserIn] |
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1048751139 |
| Hans-Günter Eckel
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik |
| Josef Lutz
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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136321410 |
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Technische Universität Chemnitz, Elektrotechnisches Institut |
| Eberhard Ulrich Krafft
, Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Siemens AG Nürnberg |
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| contributing corporate bodies: |
| Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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| abstract: |
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Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und
Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen
Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen
Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit
zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines
Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann
das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.
[German] |
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| document type: |
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| institution: |
| Faculty of Computer Science and Electrical Engineering |
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| language: |
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| subject class (DDC): |
| 620 Engineering & allied operations |
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publication /
production: |
Rostock
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Rostock: Universität Rostock
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2014
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| identifiers: |
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| access condition: |
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| license/rights statement: |
all rights reserved
This work may only be used under the terms of the German Copyright Law (Urheberrechtsgesetz). |
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| RosDok id: |
rosdok_disshab_0000001135 |
| created / modified: |
24.03.2014 / 08.08.2023
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| metadata license: |
The metadata of this document was dedicated to the public domain
(CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |
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