Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren

Jürgen Böhmer

doi:10.18453/rosdok_id00001314

Jürgen Böhmer

Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren

Universität Rostock, 2014

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001314

Abstract: Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.

Dissertation Freier Zugang

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Titel:

Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren

Beteiligte Personen:

Jürgen Böhmer[VerfasserIn]
	1048751139
Hans-Günter Eckel , Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik
Josef Lutz , Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	136321410
	Technische Universität Chemnitz, Elektrotechnisches Institut
Eberhard Ulrich Krafft , Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	Siemens AG Nürnberg

Beteiligte Körperschaften:

Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution]
	10085032-7

Zusammenfassung:

Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden. [Deutsch]

Dokumenttyp:

Dissertation

Einrichtung:

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Sprache:

Deutsch

Sachgruppe der DNB:

620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

Veröffentlichung /
Entstehung:

Rostock

Rostock: Universität Rostock

2014