Universität Rostock, 2014
https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001379
Abstract: Das Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar. The charge extraction modell is shown. It is for the description of the switching-off behaviour of IGBTs. The charge distibution is solved in one dimension through the IGBT. So the model shows a physically correct behaviour. The needed parameters can be measured without destroying the device. A special advantage of the model is, that the simulations results must not fitted in dependence to the switching velocity and also demanding switching conditions can be managed. Gate driving circuits can be managed by the model with very low costs.
Dissertation
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