Plasma diagnostics applying K-line emission profiles of Si and Ar

Yi-Ling Chen

doi:10.18453/rosdok_id00001490

Yi-Ling Chen

Plasma diagnostics applying K-line emission profiles of Si and Ar

Universität Rostock, 2015

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001490

Abstract: Die Modifizierung von Linienprofilen von K-Linien ist für die Plasmadiagnostik geeignet, da die Röntgenemissionen stark von der Ionenkonfiguration und der Emitterumgebung bestimmt werden. Die Plasmaumgebung führt zu einer Rotverschiebung, die mit zunehmender Dichte freier Elektronen und ansteigender Temperatur zunimmt. Andererseits zeigen die K-Linien angeregter und ionisierter Emitter eine deutliche Blauverschiebung. Beide Effekte wurden bei der Berechnung der Linienprofile von Silizium und Argon berücksichtigt.

Dissertation Freier Zugang

Titel:

Plasma diagnostics applying K-line emission profiles of Si and Ar

Beteiligte Personen:

Yi-Ling Chen[VerfasserIn]
	1065924526
Heidi Reinholz , Dr.[AkademischeR BetreuerIn]
	112466907
	University of Rostock, Department of Physics
Manfred Schlanges , Prof. Dr.[AkademischeR BetreuerIn]
	University Greifswald, Department of Physics

Beteiligte Körperschaften:

Universität Rostock, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät[Grad-verleihende Institution]
	2147083-2

Zusammenfassung:

Modifications of K-line profiles due to a warm dense plasma environment are a suitable tool for plasma diagnostics since X-ray emissions strongly depend on the ion configuration an emitter environment. The plasma environment leads to a red shift increasing at higher free electron density and rising temperature. Alternatively, excited states and ionized emitter configurations lead to a blue shift. Both shifts have been taken into account for the calculation of line profiles of silicon and argon. [Englisch]

Die Modifizierung von Linienprofilen von K-Linien ist für die Plasmadiagnostik geeignet, da die Röntgenemissionen stark von der Ionenkonfiguration und der Emitterumgebung bestimmt werden. Die Plasmaumgebung führt zu einer Rotverschiebung, die mit zunehmender Dichte freier Elektronen und ansteigender Temperatur zunimmt. Andererseits zeigen die K-Linien angeregter und ionisierter Emitter eine deutliche Blauverschiebung. Beide Effekte wurden bei der Berechnung der Linienprofile von Silizium und Argon berücksichtigt. [Deutsch]

Dokumenttyp:

Dissertation

Einrichtung:

Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät

Sprache:

Englisch

Sachgruppe der DNB:

530 Physik

Veröffentlichung /
Entstehung:

Rostock

Rostock: Universität Rostock

2015