| title: |
| Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen
Insulated Gate Bipolar Transistoren |
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| contributing persons: |
| Daniel Wigger[VerfasserIn] |
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1079691545 |
| Hans-Günter Eckel
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik |
| Josef Lutz
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Eberhard Ulrich Krafft
, Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Siemens AG |
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| contributing corporate bodies: |
| Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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| abstract: |
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Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche
die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur
Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate
Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines
RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen
des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.
[German] |
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| document type: |
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| institution: |
| Faculty of Computer Science and Electrical Engineering |
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| language: |
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| subject class (DDC): |
| 620 Engineering & allied operations |
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publication /
production: |
Rostock
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Rostock: Universität Rostock
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2015
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| identifiers: |
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| access condition: |
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| license/rights statement: |
all rights reserved
This work may only be used under the terms of the German Copyright Law (Urheberrechtsgesetz). |
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| RosDok id: |
rosdok_disshab_0000001430 |
| created / modified: |
16.09.2015 / 08.08.2023
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| metadata license: |
The metadata of this document was dedicated to the public domain
(CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |
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