| Titel: |
| Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen
Insulated Gate Bipolar Transistoren |
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| Beteiligte Personen: |
| Daniel Wigger[VerfasserIn] |
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1079691545 |
| Hans-Günter Eckel
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik |
| Josef Lutz
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Eberhard Ulrich Krafft
, Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Siemens AG |
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| Beteiligte Körperschaften: |
| Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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| Zusammenfassung: |
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Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche
die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur
Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate
Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines
RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen
des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.
[Deutsch] |
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| Dokumenttyp: |
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| Einrichtung: |
| Fakultät für Informatik und Elektrotechnik |
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| Sprache: |
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| Sachgruppe der DNB: |
| 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
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Veröffentlichung /
Entstehung: |
Rostock
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Rostock: Universität Rostock
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2015
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| Identifikatoren: |
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| Zugang: |
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frei zugänglich (Open Access)
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| Lizenz/Rechtehinweis: |
alle Rechte vorbehalten
Das Werk darf ausschließlich nach den vom deutschen Urheberrechtsgesetz festgelegten Bedingungen genutzt werden. |
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| RosDok-ID: |
rosdok_disshab_0000001430 |
| erstellt / geändert am: |
16.09.2015 / 08.08.2023
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| Metadaten-Lizenz: |
Die Metadaten zu diesem Dokument sind gemeinfrei
(CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |
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