title: |
Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hoch-sperrenden rückwärts leitfähigen
Insulated Gate Bipolar Transistoren |
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contributing persons: |
Daniel Wigger[VerfasserIn] |
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1079691545 |
Hans-Günter Eckel
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik |
Josef Lutz
, Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
Eberhard Ulrich Krafft
, Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn] |
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Siemens AG |
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contributing corporate bodies: |
Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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abstract: |
Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche
die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur
Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate
Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines
RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen
des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.
[German] |
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document type: |
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institution: |
Faculty of Computer Science and Electrical Engineering |
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language: |
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subject class (DDC): |
620 Engineering & allied operations |
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publication / production: |
Rostock
Rostock: Universität Rostock
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2015
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identifiers: |
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access condition: |
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license/rights statement: |
all rights reserved This work may only be used under the terms of the German Copyright Law (Urheberrechtsgesetz). |
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RosDok id: |
rosdok_disshab_0000001430 |
created / modified: |
16.09.2015 / 08.08.2023
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metadata license: |
The metadata of this document was dedicated to the public domain (CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |