IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze

Jan Fuhrmann

doi:10.18453/rosdok_id00001776

Jan Fuhrmann

IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze

Universität Rostock, 2016

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001776

Abstract: In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.

Dissertation Freier Zugang

Titel:

IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze

Beteiligte Personen:

Jan Fuhrmann[VerfasserIn]
	1110040296
Hans-Günter Eckel , Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	115363866
	Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik
Nando Kaminski , Prof. Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	173464920
	Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente
Daniel Domes , Dr.-Ing.[AkademischeR BetreuerIn]
	137778538
	Infineon Technologies AG

Beteiligte Körperschaften:

Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution]
	10085032-7

Zusammenfassung:

In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert. [Deutsch]

Dokumenttyp:

Dissertation

Einrichtung:

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Sprache:

Deutsch

Sachgruppe der DNB:

620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

Veröffentlichung /
Entstehung:

Rostock

Rostock: Universität Rostock

2016