| title: |
| Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT |
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| contributing persons: |
| Patrick Münster[VerfasserIn] |
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1212244907 |
| Hans-Günter Eckel[AkademischeR BetreuerIn] |
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115363866 |
| Mark-Matthias Bakran[AkademischeR BetreuerIn] |
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135690366 |
| Eberhard Ulrich Krafft[AkademischeR BetreuerIn] |
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13084733X |
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| contributing corporate bodies: |
| Universität Rostock[Grad-verleihende Institution] |
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38329-6 |
| Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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| abstract: |
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Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige
Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate
Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens
in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom
zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung
der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.
[German] |
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The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The
dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate
Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching
and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement
current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind
this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region
below the gate-electrode.
[English] |
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| document type: |
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| institution: |
| Faculty of Computer Science and Electrical Engineering |
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| language: |
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| subject class (DDC): |
| 620 Engineering & allied operations |
| 621.3 Electrical Engineering, Electronics |
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publication /
production: |
Rostock
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Rostock: Universität Rostock
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2019
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| statement of responsibility: |
| vorgelegt von Patrick Münster |
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| identifiers: |
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| access condition: |
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| license/rights statement: |
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| RosDok id: |
rosdok_disshab_0000002301 |
| created / modified: |
19.06.2020 / 08.08.2023
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| metadata license: |
The metadata of this document was dedicated to the public domain
(CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |
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