Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT

Robin Marián Werner

doi:10.18453/rosdok_id00002730

Robin Marián Werner

Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT

Universität Rostock, 2020

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002730

Abstract: Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden.

Dissertation Freier Zugang

Titel:

Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT

Beteiligte Personen:

Robin Marián Werner[VerfasserIn]
	1216196621
Hans-Günter Eckel[AkademischeR BetreuerIn]
	115363866
Tobias Reimann[AkademischeR BetreuerIn]
	140269452
Jan Weigel[AkademischeR BetreuerIn]

Beteiligte Körperschaften:

Universität Rostock[Grad-verleihende Institution]
	38329-6
Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution]
	10085032-7

Zusammenfassung:

Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden. [Deutsch]

Current imbalances occur between paralleled IGBTs. Those imbalances affect the performance of the parallel operation. This thesis describes mechanisms which lead to such imbalances for different situations. The considered situations are on-state with static and varying load currents, the turn-on and -off of the semiconductors, short circuit types I and II and the turn-off of short circuit currents. In addition to the mechanisms which lead to current imbalances in those situations, their causes are described. [Englisch]

Dokumenttyp:

Dissertation

Einrichtung:

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Sprache:

Deutsch

Sachgruppe der DNB:

621.3 Elektrotechnik, Elektronik

Veröffentlichung /
Entstehung:

Rostock

Rostock: Universität Rostock

2020