Zur Beherrschung von Stoßstromereignissen bei Fehlerfällen in Submodulen von Modularen Mehrpunktumrichtern

Christoph Friedrich Junghans

doi:10.18453/rosdok_id00003784

Christoph Friedrich Junghans

Zur Beherrschung von Stoßstromereignissen bei Fehlerfällen in Submodulen von Modularen Mehrpunktumrichtern

Universität Rostock, 2021

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00003784

Abstract: Der Kurzschluss des Zwischenkreises eines MMC-Submoduls führt im Fehlerfall zu Stoßströmen und Explosionen von Halbleitern, welche sich durch Zusatzbeschaltungen abmildern lassen. Neben Hochgeschwindigkeitssicherungen eignet sich der RL-Transformator zur Stoßstromreduktion. Für den Explosionsschutz von Halbleitermodulen dienen aktive Zusatzbeschaltungen, deren Beurteilung wird durch das Explosionsintegral XI verbessert. Die Verbindung aus RL-Transformator und Nebenschlussthyristor kombiniert den Explosionsschutz für Halbleitermodule mit der Reduktion des Stoßstroms im Zwischenkreis.

Dissertation Freier Zugang

Titel:

Zur Beherrschung von Stoßstromereignissen bei Fehlerfällen in Submodulen von Modularen Mehrpunktumrichtern

Beteiligte Personen:

Christoph Friedrich Junghans[VerfasserIn]
	1262583888
Hans-Günter Eckel[AkademischeR BetreuerIn]
	115363866
	Universität Rostock
Mark-Matthias Bakran[AkademischeR BetreuerIn]
	135690366
	Universität Bayreuth
Herbert Gambach[AkademischeR BetreuerIn]
	17263153X
	Siemens Energy AG

Beteiligte Körperschaften:

Universität Rostock[Grad-verleihende Institution]
	38329-6
Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution]
	10085032-7

Zusammenfassung:

Der Kurzschluss des Zwischenkreises eines MMC-Submoduls führt im Fehlerfall zu Stoßströmen und Explosionen von Halbleitern, welche sich durch Zusatzbeschaltungen abmildern lassen. Neben Hochgeschwindigkeitssicherungen eignet sich der RL-Transformator zur Stoßstromreduktion. Für den Explosionsschutz von Halbleitermodulen dienen aktive Zusatzbeschaltungen, deren Beurteilung wird durch das Explosionsintegral XI verbessert. Die Verbindung aus RL-Transformator und Nebenschlussthyristor kombiniert den Explosionsschutz für Halbleitermodule mit der Reduktion des Stoßstroms im Zwischenkreis. [Deutsch]

Dokumenttyp:

Dissertation

Einrichtung:

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Sprache:

Deutsch

Sachgruppe der DNB:

621.3 Elektrotechnik, Elektronik

Veröffentlichung /
Entstehung:

Rostock: Universität Rostock

2021

Verantwortlichkeitsangabe: