Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT

Patrick Münster

doi:10.18453/rosdok_id00002696

Münster, Patrick

Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT

Rostock : Universität , 2019

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696

Abstract:

Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.

Dissertation Open Access

Einrichtung :

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Gutachter :

Eckel, Hans-Günter

Bakran, Mark-Matthias

Krafft, Eberhard Ulrich

Sprache(n) :

Deutsch

übersetzte Zusammenfassung :

The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.

DDC Klassifikation :

620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

621.3 Elektrotechnik, Elektronik

URN :

urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8

Persistente URL:

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696

erstellt am:

2020-06-19

zuletzt geändert am:

2020-06-19