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Patrick Münster

Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT

Universität Rostock, 2019

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696

Abstract: Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.

Dissertation   Freier Zugang