zum Inhalt

 

Krünägel,  Hannes

Dämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFET

Rostock : Universität , 2020

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002649

http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649

Abstract:

In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.

Masterarbeit Open Access


Einrichtung :
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Gutachter :
Sawallich,  Florian
Eckel,  Hans-Günter
Sprache(n) :
Deutsch
übersetzte Zusammenfassung :
In this thesis a new approach to suppress the switching ringing of SiC-MOSFETs is proposed. The damping resistor is coupled inductively. Contrary to other approaches there is no secondary winding used, but an attenuator consisting of only an iron powder core. This core is designed to have maximum loss at the frequency of the ringing and is placed on the bus connections of the module. Experimental results using 1200V-SiC-MOSFET module at currents of up to 200 A validate this approach. It is a very simple and cheap approach with a good damping behaviour and relatively low additional overvoltage.
DDC Klassifikation :
621.3 Elektrotechnik, Elektronik
URN :
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-4
Persistente URL:
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649
erstellt am:
2020-04-06
zuletzt geändert am:
2020-04-06
Volltext