Titel: |
Dämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFET |
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Beteiligte Personen: |
Hannes Krünägel[VerfasserIn] |
Florian Sawallich[AkademischeR BetreuerIn] |
Hans-Günter Eckel[AkademischeR BetreuerIn] |
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115363866 |
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Beteiligte Körperschaften: |
Universität Rostock[Grad-verleihende Institution] |
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38329-6 |
Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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Zusammenfassung: |
In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an
SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt.
Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend
nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste
bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion
dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz
erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.
[Deutsch] |
In this thesis a new approach to suppress the switching ringing of SiC-MOSFETs is
proposed. The damping resistor is coupled inductively. Contrary to other approaches
there is no secondary winding used, but an attenuator consisting of only an iron powder
core. This core is designed to have maximum loss at the frequency of the ringing and
is placed on the bus connections of the module. Experimental results using 1200V-SiC-MOSFET
module at currents of up to 200 A validate this approach. It is a very simple and
cheap approach with a good damping behaviour and relatively low additional overvoltage.
[Englisch] |
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Dokumenttyp: |
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Einrichtung: |
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik |
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Sprache: |
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Sachgruppe der DNB: |
621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
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Veröffentlichung / Entstehung: |
Rostock
Rostock: Universität Rostock
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2020
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Verantwortlichkeitsangabe: |
vorgelegt von Hannes Krünägel |
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Identifikatoren: |
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Zugang: |
frei zugänglich (Open Access)
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Lizenz/Rechtehinweis: |
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RosDok-ID: |
rosdok_thesis_0000000032 |
erstellt / geändert am: |
06.04.2020 / 08.08.2023
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Metadaten-Lizenz: |
Die Metadaten zu diesem Dokument sind gemeinfrei (CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |