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| Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren |
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| contributing persons: |
| Tobias Gerhard Appel[VerfasserIn] |
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1060821052 |
| Hans-Günter Eckel
, Prof. Dr.-Ing[AkademischeR BetreuerIn] |
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Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik |
| Nando Kaminski
, Prof. Dr.-Ing[AkademischeR BetreuerIn] |
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Bremen, IALB |
| Ralf Siemieniec
, Dr.-Ing[AkademischeR BetreuerIn] |
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Infineon Technologies Austria AG |
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| contributing corporate bodies: |
| Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution] |
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10085032-7 |
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| abstract: |
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Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver
Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente
mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich
zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da
die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse
Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar.
Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich
auf das Schaltverhalten.
[German] |
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| document type: |
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| institution: |
| Faculty of Computer Science and Electrical Engineering |
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| language: |
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| subject class (DDC): |
| 620 Engineering & allied operations |
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publication /
production: |
Rostock
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Rostock: Universität Rostock
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2014
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| identifiers: |
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| access condition: |
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| license/rights statement: |
all rights reserved
This work may only be used under the terms of the German Copyright Law (Urheberrechtsgesetz). |
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| RosDok id: |
rosdok_disshab_0000001254 |
| created / modified: |
11.11.2014 / 08.08.2023
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| metadata license: |
The metadata of this document was dedicated to the public domain
(CC0 1.0 Universal Public Domain Dedication). |
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