Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren

Tobias Gerhard Appel

doi:10.18453/rosdok_id00001433

Tobias Gerhard Appel

Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren

Universität Rostock, 2014

https://doi.org/10.18453/rosdok_id00001433

Abstract: Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.

Dissertation Freier Zugang

Titel:

Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren

Beteiligte Personen:

Tobias Gerhard Appel[VerfasserIn]
	1060821052
Hans-Günter Eckel , Prof. Dr.-Ing[AkademischeR BetreuerIn]
	Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Nando Kaminski , Prof. Dr.-Ing[AkademischeR BetreuerIn]
	Bremen, IALB
Ralf Siemieniec , Dr.-Ing[AkademischeR BetreuerIn]
	Infineon Technologies Austria AG

Beteiligte Körperschaften:

Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik[Grad-verleihende Institution]
	10085032-7

Zusammenfassung:

Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten. [Deutsch]

Dokumenttyp:

Dissertation

Einrichtung:

Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Sprache:

Deutsch

Sachgruppe der DNB:

620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau

Veröffentlichung /
Entstehung:

Rostock

Rostock: Universität Rostock

2014